微光像增強器

微光像增強器是微光夜視系統(tǒng)的核心部件。整個微光夜視系統(tǒng)包括光學成像鏡頭組、微光像增強器、后置處理系統(tǒng)。其中微光像增強器為重要的一環(huán) 。迄今為止已經(jīng)出現(xiàn)了一代微光像增強器、二代像增強器、三代像增強器。不同代的微光像管構(gòu)造不同，但主要包括如下部分：光陰極（Photocathode）、防離子反饋膜（Ion Barrier Film）、微通道板（Micro Channel Plate）和熒光屏（Fluorescent Screen）。整個管子為真空器件。

三代像增強器

砷化鎵負電子親和勢（NEA）光陰極的發(fā)展在微光領(lǐng)域引發(fā)了一場巨大的**。這類Ⅲ-Ⅴ族半導體光陰極的顯著特點就是靈敏度高，可通過陰極材料組分和結(jié)構(gòu)設(shè)計，滿足紅外相應的波段。將透射式GaAs光陰極和帶三氧化二鋁防離子反饋膜的長壽命、低噪聲微通道板和熒光屏構(gòu)成的雙近貼結(jié)構(gòu)，即為第三代微光像增強器（三代管）。與二代管相比，三代像增強器靈敏度增加了4-8倍，壽命延長了3倍多，對夜間星光光譜的利用率顯著提高。第三代像增強器于70年代初開始研究，80年代美軍開始裝備**。俄羅斯KATOD可生產(chǎn)像增強管的280多種改型。眾多的設(shè)計解決方案和不同級別的電子管技術(shù)參數(shù)可確保滿足苛刻客戶生產(chǎn)夜視設(shè)備的要求。

三代像增強器技術(shù)參數(shù)	F	S	A	B	測量單位
有效直徑	17,5				mm
光電陰極類型	GaAs砷化鎵
輸出窗口的材料	FOE,倒像, 凹面 R=40 mm
熒光粉	P43 (可選 P22 和P45 *)
分辨率	68	64	60	57	lp/mm
感光度：
光通量，Min	2000	1800	1800	1600	μA/lm
850nm，Min	190	180	170	160	mA/W
增益，Min	35 000 – 80 000 **				lm/lm
輸出亮度Max	2 – 14 **				cd/m2
等效背景照度	0,25				μlx
信噪比（108 μlx） min	27	24	23	22
輸入電流	20				mA
輸入電壓	2,0 ÷ 3,6				V
重量	85				g
壽命	10 000				h
三代像增強器附加選項(客戶定制)	外部增益控制
	防震設(shè)計
	自動門控電源